МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ ТА НАУКИ УКРАЇНИ НУ „ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА” Кафедра ПЗ Звіт з лабораторної роботи №6 на тему: “Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур” Виконав Львів 2003 Мета : набути навиків роботи з моделями напівпровідникових структур програми PSpise та провести дослідження роботи транзистора при його переході від закритого стану до відкритого та в зворотньому напрямку. Теоретичні вiдомостi Напiвпровiдниковi прилади, математичні моделі яких вбудовані в програму PSpise описуються великою кількістю параметрів, якi визначаються за допомогою оператора . MODEL . Цей оператор може бути поміщений як в описі завдання так i в файл бібліотеки, доступ до якого здійснюється за допомогою оператора . LIB . Опис конкретного напівпровідникового приладу містить його ім’я, номер вузлів підключення, ім’я моделі. В якостi моделі біполярного транзистора в програмі PSpise використовується модель Еберса-Молла або Гумела-Пуна, яка має розширений список параметрів. Приведемо список основних параметрів математичної моделі Еберса-Молла: _____________________________________________________________________________ │Iм'я │ Параметр │Значен-│Одини-│ │пара- │ │по за- │цi ви-│ │метра │ │мовчу- │мiрю- │ │ │ │ванню │вання │ │ IS │ Струм насичення при t=27C │10Е-16 │ А │ │ BF │ Максимальний коефiцiєнт пiдсилення │ 100 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером нор- │ │ │ │ │ мальному режимi │ │ │ │ BR │Максимальний коефiцiєнт пiдсилення стру-│ 1 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером в iн- │ │ │ │ │ версному режимi │ │ │ │ NF │ Коефiцiєнт неiдеальностi в нормальному │ 1 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ NR │ Коефiцiєнт неiдеальностi в iнверсному │ 0 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ ISS │ Зворотнiй струм p-n переходу пiдкладки │ 0 │ А │ │ NS │ Коефiцiєнт неiдеальностi переходу пiд- │ │ │ │ │ кладки │ 1 │ - │ │ RC │ Об'ємний опiр колектора │ 0 │ дм │ │ RE │ Об'ємний опiр емiтера │ 0 │ Ом │ │ RB │ Об'ємний опiр бази │ 0 │ Ом │ │ CJE │ Ємнiсть емiтерного переходу при нульо- │ 0 │ Ф │ │ │ вому │ │ │ │ VJE │ Контактна рiзниця потенцiалiв емiтер - │ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJE │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ емiтерного переходу │ │ │ │ CJC │ Ємнiсть колекторного переходу при │ 0 │ Ф │ │ │ нульовому змiщеннi │ │ │ │ VJC │ Контактна рiзниця потенцiалiв колектор-│ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJC │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ колекторного переходу │ │ │ │ CJS │ Ємнiсть колектора-пiдкладки при нульо- │ 0 │ Ф │ │ │ вому змiщеннi │ │ │ │ VGS │ Контактна рiзниця переходу колектор- │ 0.75 │ В │ │ │ пiдкладка │ │ │ │ MGS │ Коефiцiєнт врахування плавностi пере- │ 0.33 │ - │ │ │ ходу колектор-пiдкладка │ │ │ │ FC │ Коефiцiєнт нелiнiйностi бар'єрних єм- │ 0.5 │ - │ │ │ ностей прямозмiшених переходiв │ │ │ │ EG │ Ширина забороне...